На этой неделе компании Intel и Micron в рамках своего совместного предприятия IM Flash Technologies (IMFT) анонсировали первую, по их словам, в
индустрии 25нм технологию производства полупроводников, которую они
планируют использовать при создании NAND-памяти для SSD-накопителей и
других потребительских продуктов, вроде смартфонов и медиа-плееров.
По словам компаний, они уже начали производство образцов NAND-флэш
по новому 25нм техпроцессу. Последний позволяет вместить 8GB емкости
NAND-флэш на кристалл с площадью в 167 кв.мм.
Для сравнения, по данным Intel и Micron, этот кристалл может пройти
через центральное отверстие CD-диска. Хотя при этом CD-диск обладает
лишь одной десятой емкости самого кристалла.
По словам производителей, для увеличения емкости накопителя они
могут вместить несколько 25нм NAND-кристаллов внутрь стандартной
промышленной единицы.
Кроме того, новая 25нм технология позволит производителям NAND-флэш
продукции уменьшить число необходимых чипов при неизменной емкости.
Так, например, 256GB SSD-накопитель будет содержать в себе лишь
тридцать два 25нм чипа флэш-памяти, а не шестьдесят четыре как сейчас.
Вы спросите, когда же мы увидим продукты, выполненные по новой
технологии на рынке? По словам компаний, устройство на 8GB по новой
25нм технологии должно поступить в массовое производство уже во втором
квартале 2010 года. Взято с http://www.winline.ru/
|
